K4B1G0846I-BYMA - 1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
74035 Pieces
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仕様 K4B1G0846I-BYMA
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : K4B1G0846I-BYMA
メーカー : Samsung Semiconductor
説明文 : 1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
シリーズ : DDR3
密度 : 1 Gb
組織。 : 128M x 8
速度 : 1866 Mbps
電圧 : 1.35 V
温度。 : 0 ~ 85 °C
パッケージ : 78FBGA
製品ステータス : Mass Production
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント K4B1G0846I-BYMA
データシート : K4B1G0846I-BYMA.pdf
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