SI5509DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
27818 Pieces
参考価格
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仕様 SI5509DC-T1-GE3
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
SI5509DC-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.1A, 4.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.6nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
455pF @ 10V
パワー-最大 :
4.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント SI5509DC-T1-GE3
データシート :
SI5509DC-T1-GE3.pdf
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