EPC2110ENGRT - GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-EPC2110ENGRT
メーカー
簡単な説明
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
457535 Pieces
参考価格
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仕様 EPC2110ENGRT
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : EPC2110ENGRT
メーカー : EPC
説明文 : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET機能 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 700µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 0.8nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 80pF @ 60V
パワー-最大 : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント EPC2110ENGRT
データシート : EPC2110ENGRT.pdf
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