RS1JL M2G - DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-RS1JL M2G
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
11002520 Pieces
参考価格
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仕様 RS1JL M2G
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : RS1JL M2G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明文 : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 800mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.3V @ 800mA
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 250ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : 10pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : Sub SMA
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント RS1JL M2G
データシート : RS1JL M2G.pdf
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