IRF6641TR1PBF - MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
9253 Pieces
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仕様 IRF6641TR1PBF
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IRF6641TR1PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.6A (Ta), 26A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.9V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2290pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET™ MZ
パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric MZ
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IRF6641TR1PBF
データシート : IRF6641TR1PBF.pdf
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