IPG20N06S4L11ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 8TDSON
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
506185 Pieces
参考価格
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仕様 IPG20N06S4L11ATMA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPG20N06S4L11ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET 2N-CH 8TDSON
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 11.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 28µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 53nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4020pF @ 25V
パワー-最大 : 65W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8-4
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IPG20N06S4L11ATMA1
データシート : IPG20N06S4L11ATMA1.pdf
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