SI4434DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

製造業者識別番号

SI4434DY-T1-GE3

内部部品番号

AX-SI4434DY-T1-GE3

メーカー

Vishay Siliconix

簡単な説明

MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

369785 Pieces

参考価格

~~USD 0.758706~~

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仕様 SI4434DY-T1-GE3

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : SI4434DY-T1-GE3

メーカー : Vishay Siliconix

説明文 : MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

シリーズ : TrenchFET®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 250V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.1A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 155 mOhm @ 3A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 50nC @ 10V

Vgs（最大） : ±20V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -

FET機能 : -

消費電力（最大） : 1.56W (Ta)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント SI4434DY-T1-GE3

データシート : SI4434DY-T1-GE3.pdf

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