SI1404BDH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

製造業者識別番号

SI1404BDH-T1-GE3

内部部品番号

AX-SI1404BDH-T1-GE3

メーカー

Vishay Siliconix

簡単な説明

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

1954465 Pieces

参考価格

~~USD 0.14355~~

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仕様 SI1404BDH-T1-GE3

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : SI1404BDH-T1-GE3

メーカー : Vishay Siliconix

説明文 : MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363

シリーズ : TrenchFET®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 2.5V, 4.5V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 238 mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 1.3V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 2.7nC @ 4.5V

Vgs（最大） : ±12V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 100pF @ 15V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : SC-70-6 (SOT-363)

パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント SI1404BDH-T1-GE3

データシート : SI1404BDH-T1-GE3.pdf

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