70V658S12BC8 - IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-70V658S12BC8
簡単な説明
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
11152 Pieces
参考価格
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仕様 70V658S12BC8
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
70V658S12BC8
メーカー :
IDT, Integrated Device Technology Inc
説明文 :
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
メモリタイプ :
Volatile
メモリフォーマット :
SRAM
技術 :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
メモリー容量 :
2Mb (64K x 36)
クロック周波数 :
-
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
12ns
アクセス時間 :
12ns
メモリインターフェース :
Parallel
電圧-供給 :
3.15V ~ 3.45V
動作温度 :
0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
256-LBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
256-CABGA (17x17)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント 70V658S12BC8
データシート :
70V658S12BC8.pdf
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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|
Vishay Beyschlag |
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|
Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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|
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