CSD25304W1015T - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1251485 Pieces
参考価格
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仕様 CSD25304W1015T
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
CSD25304W1015T
メーカー :
Texas Instruments
説明文 :
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.15V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
595pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
750mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-DSBGA
パッケージ/ケース :
6-UFBGA, DSBGA
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント CSD25304W1015T
データシート :
CSD25304W1015T.pdf
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