SIRA18DP-T1-RE3 - MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
2344005 Pieces
参考価格
USD 0.119694
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仕様 SIRA18DP-T1-RE3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SIRA18DP-T1-RE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 33A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21.5nC @ 10V
Vgs(最大) : +20V, -16V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1000pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 14.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SIRA1 , SIRA18D

のドキュメント SIRA18DP-T1-RE3

データシート : SIRA18DP-T1-RE3.pdf

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