TPH6R30ANL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1102320 Pieces
参考価格
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仕様 TPH6R30ANL,L1Q
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : TPH6R30ANL,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 66A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.5V @ 500µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4300pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 54W (Tc)
動作温度 : 150°C
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP Advance (5x5)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント TPH6R30ANL,L1Q
データシート : TPH6R30ANL,L1Q.pdf
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