IPB036N12N3GATMA1 - MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
122375 Pieces
参考価格
USD 2.29263
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仕様 IPB036N12N3GATMA1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPB036N12N3GATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 120V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 180A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 270µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 211nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 13800pF @ 60V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 300W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO263-7
パッケージ/ケース : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IPB03 , IPB036N1

のドキュメント IPB036N12N3GATMA1

データシート : IPB036N12N3GATMA1.pdf

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