SI7617DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1118135 Pieces
参考価格
USD 0.25092
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仕様 SI7617DN-T1-GE3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI7617DN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 35A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1800pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SI761 , SI7617D

のドキュメント SI7617DN-T1-GE3

データシート : SI7617DN-T1-GE3.pdf

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