1N5553US - DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

製造業者識別番号

内部部品番号

メーカー

簡単な説明

DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

42990 Pieces

参考価格

~~USD 7.83~~

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品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : 1N5553US

メーカー : Microsemi Corporation

説明文 : DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 800V

電流-平均整流（Io） : 3A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 9A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 2µs

電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 800V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : SQ-MELF, B

サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

データシート : 1N5553US.pdf