FESB16BT-E3/81 - DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
424365 Pieces
参考価格
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仕様 FESB16BT-E3/81
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
FESB16BT-E3/81
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 :
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
16A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
975mV @ 16A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
175pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 150°C
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント FESB16BT-E3/81
データシート :
FESB16BT-E3/81.pdf
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