DMT10H009LSS-13 - MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
857770 Pieces
参考価格
USD 0.327084
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仕様 DMT10H009LSS-13

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : DMT10H009LSS-13
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Ta), 48A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 40.2nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2309pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : DMT10 , DMT10H0

のドキュメント DMT10H009LSS-13

データシート : DMT10H009LSS-13.pdf

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