DMG7N65SJ3 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
485195 Pieces
参考価格
USD 0.578238
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仕様 DMG7N65SJ3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : DMG7N65SJ3
メーカー : Diodes Incorporated
説明文 : MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 650V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 886pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-251
パッケージ/ケース : TO-251-3, IPak, Short Leads
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : DMG , DMG7N

のドキュメント DMG7N65SJ3

データシート : DMG7N65SJ3.pdf

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