APT25GP120BDQ1G - IGBT 1200V 69A 417W TO247
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IGBT 1200V 69A 417W TO247
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
40980 Pieces
参考価格
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仕様 APT25GP120BDQ1G
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : APT25GP120BDQ1G
メーカー : Microsemi Corporation
説明文 : IGBT 1200V 69A 417W TO247
シリーズ : POWER MOS 7®
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : PT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） : 1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） : 69A
電流-パルスコレクター（Icm） : 90A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC : 3.9V @ 15V, 25A
パワー-最大 : 417W
スイッチングエネルギー : 500µJ (on), 440µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 110nC
Td（オン/オフ）@ 25°C : 12ns/70ns
試験条件 : 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247 [B]
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント APT25GP120BDQ1G
データシート : APT25GP120BDQ1G.pdf
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