IXFT18N100Q3 - MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
42360 Pieces
参考価格
USD 7.9476
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仕様 IXFT18N100Q3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IXFT18N100Q3
メーカー : IXYS
説明文 : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 18A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 6.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4890pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 830W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IXFT , IXFT18

のドキュメント IXFT18N100Q3

データシート : IXFT18N100Q3.pdf

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