CMG06(TE12L,Q,M) - DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
4359965 Pieces
参考価格
USD 0.06435
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仕様 CMG06(TE12L,Q,M)

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : CMG06(TE12L,Q,M)
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOD-128
サプライヤーデバイスパッケージ : M-FLAT (2.4x3.8)
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : CMG06 , CMG06(TE

のドキュメント CMG06(TE12L,Q,M)

データシート : CMG06(TE12L,Q,M).pdf

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