BUK9E1R6-30E,127 - MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
24745 Pieces
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仕様 BUK9E1R6-30E,127
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : BUK9E1R6-30E,127
メーカー : NXP USA Inc.
説明文 : MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
シリーズ : TrenchMOS™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 113nC @ 5V
Vgs（最大） : ±10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 16150pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 349W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I2PAK
パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント BUK9E1R6-30E,127
データシート : BUK9E1R6-30E,127.pdf
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