VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
9181 Pieces
参考価格
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仕様 VS-GB100TH120N
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
VS-GB100TH120N
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
-
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
200A
パワー-最大 :
833W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.35V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
8.58nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤーデバイスパッケージ :
Double INT-A-PAK
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント VS-GB100TH120N
データシート :
VS-GB100TH120N.pdf
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