VS-GB100TH120N - IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
9181 Pieces
参考価格
USD 214.417002
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仕様 VS-GB100TH120N

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : VS-GB100TH120N
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明文 : IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
構成 : Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 200A
パワー-最大 : 833W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.35V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 8.58nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤーデバイスパッケージ : Double INT-A-PAK
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : VS-G , VS-GB10

のドキュメント VS-GB100TH120N

データシート : VS-GB100TH120N.pdf

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