IS43DR86400E-3DBLI - IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
72915 Pieces
参考価格
USD 4.278
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仕様 IS43DR86400E-3DBLI

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IS43DR86400E-3DBLI
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明文 : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR2
メモリー容量 : 512Mb (64M x 8)
クロック周波数 : 333MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 450ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.9V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 60-TWBGA (8x10.5)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : IS43DR , IS43DR864

のドキュメント IS43DR86400E-3DBLI

データシート : IS43DR86400E-3DBLI.pdf

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品番 ブランド 説明文 購入

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