SI4459BDY-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 30V SO-8

製造業者識別番号

SI4459BDY-T1-GE3

内部部品番号

AX-SI4459BDY-T1-GE3

メーカー

Vishay Siliconix

簡単な説明

MOSFET P-CHAN 30V SO-8

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

838600 Pieces

参考価格

~~USD 0.33456~~

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仕様 SI4459BDY-T1-GE3

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : SI4459BDY-T1-GE3

メーカー : Vishay Siliconix

説明文 : MOSFET P-CHAN 30V SO-8

シリーズ : TrenchFET® Gen IV

部品ステータス : Active

FETタイプ : P-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.9 mOhm @ 15A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 84nC @ 10V

Vgs（最大） : +20V, -16V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3490pF @ 15V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント SI4459BDY-T1-GE3

データシート : SI4459BDY-T1-GE3.pdf

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