SIHB12N65E-GE3 - MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
140840 Pieces
参考価格
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仕様 SIHB12N65E-GE3
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
SIHB12N65E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明文 :
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1224pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
156W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント SIHB12N65E-GE3
データシート :
SIHB12N65E-GE3.pdf
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