RJK2006DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
17536 Pieces
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仕様 RJK2006DPE-00#J3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : RJK2006DPE-00#J3
メーカー : Renesas Electronics America
説明文 : MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 40A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : -
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1800pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 100W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-LDPAK
パッケージ/ケース : SC-83
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント RJK2006DPE-00#J3
データシート : RJK2006DPE-00#J3.pdf
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