IPD65R1K4CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
915615 Pieces
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仕様 IPD65R1K4CFDBTMA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPD65R1K4CFDBTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 2.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 262pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 28.4W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IPD65R1K4CFDBTMA1
データシート : IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf
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