SIA429DJT-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1918935 Pieces
参考価格
USD 0.146208
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仕様 SIA429DJT-T1-GE3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SIA429DJT-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20.5 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 62nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1750pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SIA42 , SIA429DJ

のドキュメント SIA429DJT-T1-GE3

データシート : SIA429DJT-T1-GE3.pdf

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