TPN1R603PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
888305 Pieces
参考価格
USD 0.31584
私たちの価格
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仕様 TPN1R603PL,L1Q

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : TPN1R603PL,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
シリーズ : U-MOSIX-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.6 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 300µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3900pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 104W (Tc)
動作温度 : 175°C
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : TPN1 , TPN1R60

のドキュメント TPN1R603PL,L1Q

データシート : TPN1R603PL,L1Q.pdf

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