SCT2H12NYTB - 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
127010 Pieces
参考価格
USD 2.2089
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仕様 SCT2H12NYTB

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SCT2H12NYTB
メーカー : Rohm Semiconductor
説明文 : 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1700V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 18V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 410µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 18V
Vgs(最大) : +22V, -6V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 184pF @ 800V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 44W (Tc)
動作温度 : 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SCT , SCT2H

のドキュメント SCT2H12NYTB

データシート : SCT2H12NYTB.pdf

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