K4F8E3S4HB-MFCJ - 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
121810 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 K4F8E3S4HB-MFCJ

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : K4F8E3S4HB-MFCJ
メーカー : Samsung Semiconductor
説明文 : 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
シリーズ : DDR3
密度 : 8 Gb
組織。 : x32
速度 : 3733 Mbps
電圧 : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
温度。 : -40 ~ 95 °C
パッケージ : 200FBGA
製品ステータス : Mass Production
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : K4F8E , K4F8E3S

のドキュメント K4F8E3S4HB-MFCJ

データシート : K4F8E3S4HB-MFCJ.pdf

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