SIHU2N80E-GE3 - MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
267200 Pieces
参考価格
USD 1.05
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仕様 SIHU2N80E-GE3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SIHU2N80E-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
シリーズ : E
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.8A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 315pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 62.5W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース : TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SIHU , SIHU2N

のドキュメント SIHU2N80E-GE3

データシート : SIHU2N80E-GE3.pdf

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