EPC2012C - GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
392940 Pieces
参考価格
USD 0.714
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仕様 EPC2012C

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : EPC2012C
メーカー : EPC
説明文 : GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.3nC @ 5V
Vgs(最大) : +6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 140pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die Outline (4-Solder Bar)
パッケージ/ケース : Die
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
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のドキュメント EPC2012C

データシート : EPC2012C.pdf

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