MSRT20060(A)D - DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

製造業者識別番号

内部部品番号

メーカー

簡単な説明

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

9552 Pieces

参考価格

~~USD 46.95936~~

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品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : MSRT20060(A)D

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明文 : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオード構成 : 1 Pair Series Connection

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） : 200A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 200A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

取付タイプ : Chassis Mount

パッケージ/ケース : Three Tower

サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

データシート : MSRT20060(A)D.pdf