TK10Q60W,S1VQ - MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
169420 Pieces
参考価格
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仕様 TK10Q60W,S1VQ
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : TK10Q60W,S1VQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明文 : MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
シリーズ : DTMOSIV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 430 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.7V @ 500µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 700pF @ 300V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 80W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Stub Leads, IPak
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント TK10Q60W,S1VQ
データシート : TK10Q60W,S1VQ.pdf
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