SI5902BDC-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
750325 Pieces
参考価格
USD 0.37392
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仕様 SI5902BDC-T1-GE3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI5902BDC-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 220pF @ 15V
パワー-最大 : 3.12W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : 1206-8 ChipFET™
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SI590 , SI5902BD

のドキュメント SI5902BDC-T1-GE3

データシート : SI5902BDC-T1-GE3.pdf

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