BSM180D12P2C101 - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

製造業者識別番号

BSM180D12P2C101

内部部品番号

AX-BSM180D12P2C101

メーカー

Rohm Semiconductor

簡単な説明

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

9144 Pieces

参考価格

~~USD 249.12~~

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仕様 BSM180D12P2C101

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : BSM180D12P2C101

メーカー : Rohm Semiconductor

説明文 : MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

シリーズ : -

部品ステータス : Active

FETタイプ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET機能 : Silicon Carbide (SiC)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V (1.2kV)

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 204A (Tc)

Rds On（最大）@ Id、Vgs : -

Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 35.2mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : -

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 23000pF @ 10V

パワー-最大 : 1130W

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : -

パッケージ/ケース : Module

サプライヤーデバイスパッケージ : Module

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント BSM180D12P2C101

データシート : BSM180D12P2C101.pdf

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