K4B4G0846E-BYMA - 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production

製造業者識別番号

内部部品番号

メーカー

簡単な説明

4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

93390 Pieces

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品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : K4B4G0846E-BYMA

メーカー : Samsung Semiconductor

説明文 : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production

シリーズ : DDR3

密度 : 4 Gb

組織。 : 512M x 8

速度 : 1866 Mbps

電圧 : 1.35 V

温度。 : 0 ~ 85 °C

パッケージ : 78FBGA

製品ステータス : Mass Production

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

データシート : K4B4G0846E-BYMA.pdf