BSG0810NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
417080 Pieces
参考価格
USD 0.672672
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仕様 BSG0810NDIATMA1

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : BSG0810NDIATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 : Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 25V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 19A, 39A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1040pF @ 12V
パワー-最大 : 2.5W
動作温度 : -55°C ~ 155°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TISON-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : BSG08 , BSG0810

のドキュメント BSG0810NDIATMA1

データシート : BSG0810NDIATMA1.pdf

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