MBR20030CTR - DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
製造業者識別番号
内部部品番号
AX-MBR20030CTR
簡単な説明
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
10536 Pieces
参考価格
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仕様 MBR20030CTR
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
MBR20030CTR
メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明文 :
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
30V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
200A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
650mV @ 100A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
5mA @ 20V
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ :
Twin Tower
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント MBR20030CTR
データシート :
MBR20030CTR.pdf
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