MBR20030CTR - DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
10536 Pieces
参考価格
USD 42.5436
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仕様 MBR20030CTR

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : MBR20030CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明文 : DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 30V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 650mV @ 100A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : MBR , MBR20

のドキュメント MBR20030CTR

データシート : MBR20030CTR.pdf

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