BYV30JT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
26565 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 BYV30JT-600PQ

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : BYV30JT-600PQ
メーカー : WeEn Semiconductors
説明文 : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 30A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 65ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : BYV3 , BYV30J

のドキュメント BYV30JT-600PQ

データシート : BYV30JT-600PQ.pdf

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品番 ブランド 説明文 購入

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