JAN1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

製造業者識別番号

内部部品番号

メーカー

簡単な説明

DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

53292 Pieces

参考価格

~~USD 6.31686~~

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品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : JAN1N5809US

メーカー : Microsemi Corporation

説明文 : DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V

電流-平均整流（Io） : 6A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 4A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 30ns

電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V

静電容量@ Vr、F : 60pF @ 10V, 1MHz

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : SQ-MELF, B

サプライヤーデバイスパッケージ : B, SQ-MELF

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

データシート : JAN1N5809US.pdf