IS42S32160D-6BLI-TR - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
44736 Pieces
参考価格
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仕様 IS42S32160D-6BLI-TR
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
IS42S32160D-6BLI-TR
メーカー :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明文 :
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
メモリタイプ :
Volatile
メモリフォーマット :
DRAM
技術 :
SDRAM
メモリー容量 :
512Mb (16M x 32)
クロック周波数 :
166MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ :
-
アクセス時間 :
5.4ns
メモリインターフェース :
Parallel
電圧-供給 :
3V ~ 3.6V
動作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
90-TFBGA (8x13)
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント IS42S32160D-6BLI-TR
データシート :
IS42S32160D-6BLI-TR.pdf
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 10KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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CAP CER 1000PF 100V 10 BX 0805. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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