IPI024N06N3GXKSA1 - MOSFET N-CH 60V 120A

製造業者識別番号

IPI024N06N3GXKSA1

内部部品番号

AX-IPI024N06N3GXKSA1

メーカー

Infineon Technologies

簡単な説明

MOSFET N-CH 60V 120A

RoHSステータス

鉛フリー/ RoHS準拠

納期

1〜2日

利用可能な数量

141690 Pieces

参考価格

~~USD 1.98~~

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仕様 IPI024N06N3GXKSA1

品質保証 : 365日間の保証

在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販

原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

品番 : IPI024N06N3GXKSA1

メーカー : Infineon Technologies

説明文 : MOSFET N-CH 60V 120A

シリーズ : OptiMOS™

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 120A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 196µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 275nC @ 10V

Vgs（最大） : ±20V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 23000pF @ 30V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 250W (Tc)

動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO262-3-1

パッケージ/ケース : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

重量 : -

調子 : 新しい、オリジナル

のドキュメント IPI024N06N3GXKSA1

データシート : IPI024N06N3GXKSA1.pdf

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