SI9926BDY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
26964 Pieces
参考価格
USD 0
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仕様 SI9926BDY-T1-E3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI9926BDY-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.2A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 1.14W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SI992 , SI9926B

のドキュメント SI9926BDY-T1-E3

データシート : SI9926BDY-T1-E3.pdf

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