SISC06DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
1056015 Pieces
参考価格
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仕様 SISC06DN-T1-GE3
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SISC06DN-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 30V
シリーズ : TrenchFET® Gen IV
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 27.6A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs（最大） : +20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 2455pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント SISC06DN-T1-GE3
データシート : SISC06DN-T1-GE3.pdf
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