SI7846DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
310545 Pieces
参考価格
USD 0.90345
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仕様 SI7846DP-T1-GE3

品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : SI7846DP-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明文 : MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.9W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
関連リンク : SI784 , SI7846D

のドキュメント SI7846DP-T1-GE3

データシート : SI7846DP-T1-GE3.pdf

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