IPB031N08N5ATMA1 - MOSFET N-CH 80V TO263-3
製造業者識別番号
内部部品番号
簡単な説明
MOSFET N-CH 80V TO263-3
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
288905 Pieces
参考価格
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仕様 IPB031N08N5ATMA1
品質保証 : 365日間の保証
在庫リソース : フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 : IPB031N08N5ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明文 : MOSFET N-CH 80V TO263-3
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 3.8V @ 108µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6240pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 167W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 : -
調子 : 新しい、オリジナル
のドキュメント IPB031N08N5ATMA1
データシート : IPB031N08N5ATMA1.pdf
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