FCP190N65S3R0 - MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
製造業者識別番号
内部部品番号
メーカー
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
納期
1〜2日
利用可能な数量
327740 Pieces
参考価格
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仕様 FCP190N65S3R0
品質保証 :
365日間の保証
在庫リソース :
フランチャイズ販売代理店/メーカー直販
原産国 :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
品番 :
FCP190N65S3R0
メーカー :
ON Semiconductor
説明文 :
MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
シリーズ :
SuperFET® III
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
17A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 1.7mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
33nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1350pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
144W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
重量 :
-
調子 :
新しい、オリジナル
のドキュメント FCP190N65S3R0
データシート :
FCP190N65S3R0.pdf
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Vishay Beyschlag |
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